铝预处理对硅衬底上AlN缓冲层与GaN外延层的影响

摘要：

本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差，通过控制预处理时间，得到表面光滑无裂纹的GaN外延层。然而，过长时间TMAI预处理，AIN缓冲层出现了明显的金属颗粒，GaN层也出现金属花纹。

关键词： GaN外延层 金属有机化学气相淀积 X射线衍射 AIN缓冲层 三甲基铝预处理 硅衬底

作者: 曹健兴 李述体 范广涵 章勇 尹以安 郑树文 梅霆 苏军

作者单位: 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510630

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国MOCVD学术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 55-58

在线出版日期: 2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）