琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征
通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。(002)面高精x射线衍射ω/2θ扫描显示卫星峰达到了第四级，表明样品界面结构质量较好。从AFM中可观察到样品表面的量子点状结构，平均粗糙度较大。PL谱展示了样品的双峰结构，峰值波长分别为579nm和434nm。这分别对应于阱层中的富IN纳米点和基质区域。
金属有机化学气相淀积 InGaN基多量子阱 X射线衍射 光致发光 性能表征
李毅 施毅 郑有炓 张荣 谢自力 刘斌 苏辉 傅德颐 赵红 华雪梅 韩平
南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093
国内会议
苏州
中文
60-62
2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）