蓝宝石衬底上AlN的MOCVD外延生长
研究了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的AlN外延层。通过改变生长室压强，发现降低压强对提高AlN外延效率有显著的效果，因而采用了50torr的低压生长。通过对蓝宝石衬底的不同时间的氮化研究，发现7分钟的氮化时间对应于更好的AlN外延层结晶质量，但是氮化过程导致了表面较大的粗糙度。通过进一步结合缓冲层技术和更高的生长温度，获得了高质量的AlN外延层，表面非常平整，粗糙度仅0.11nm，HRXRD(002)和(102)摇摆曲线半高宽分别仅53.7s和625s，结晶质量非常高。
金属有机化学气相淀积 氮化 AlN外延层 生长室压强 蓝宝石衬底
闫建昌 王军喜 丛培沛 刘乃鑫 刘喆 李晋闽
中国科学院半导体研究所,北京市海淀区清华东路甲35号,100083
国内会议
苏州
中文
104-107
2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）