MOCVD在ZnO材料生长方面的应用及最新研究进展

摘要：

ZnO由于具有良好的光学、电学和压电性能，在光电子器件方面具有潜在的应用价值，已受到广泛的关注和重视。本文介绍了ZnO纤锌矿的晶体结构及性质，阐述了ZnO材料的制备技术及最新研究进展，并进一步探讨了目前存在的问题及其今后的研究发展方向。

关键词： 氧化锌 金属有机化学气相淀积 光电子器件 材料生长

作者: 张运炎 范广涵

作者单位: 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国MOCVD学术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 120-124

在线出版日期: 2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）