MOCVD技术生长薄膜电池用绒面结构IMO/ZnO薄膜
本文利用MOCVD技术在缓冲层IMO薄膜上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜。相比于通常直接生长的ZnO薄膜,IMO缓冲层的应用可有效提高绒面ZnO薄膜晶体质量,薄膜方块电阻可从8Ω降低至6Ω,薄膜电子迁移率从20.1cm2Ns提高至31.7cm2Ns;光学透过率测试表明,复合结构IMO/ZnO薄膜在可见光和近红外区域展现平均透过率-85%;此种新型TCO薄膜适合a-Si/uc-Si薄膜太阳电池应用。
金属有机化学气相淀积 ZnO薄膜 IMO薄膜 高迁移率 太阳电池 绒面结构
林泉 陈新亮 韩东港 孙建 赵颖 耿新华
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071
国内会议
苏州
中文
125-126
2010-01-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)