MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究

摘要：

ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制备出p型ZnO和ZnMgO薄膜，进而制备出了ZnO和ZnMgO的异质、同质p-n结，并在室温下实现了其电注入发光。

关键词： 金属有机化学气相淀积 ZnO基p-n结 电注入发光 光电器件

作者: 杜国同 赵涧泽 孙景昌 李硕石 李长鸣 陈睿姝 夏小川 赵旺 李香萍 朱慧超 马艳 董鑫 张宝林 梁红伟

作者单位: 吉林大学集成光电子国家重点实验室,电子科学与工程学院,长春,130012 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连,116023 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连,116023 吉林大学集成光电子国家重点实验室,电子科学与工程学院,长春,130012

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国MOCVD学术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 127

在线出版日期: 2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）