MOCVD法生长YBCO薄膜典型形貌及成因分析
使用各种方法在LaAlO3(100)衬底上生长高温超导体YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜，常见有两种不同的取向(a轴取向和c轴取向)，他们具有不同表面形貌。本文使用光辅助MOCVD法，在不同的衬底温度下获得了这两种取向YBCO薄膜，并用X射线衍射2θ扫描和扫描电子显微镜对样品表征。 由于YBCO薄膜，在高温下直接生成的是四方相YBCO(YBa2Cu3O6)；而后在退火(及降温)加氧过程中逐渐形成正交相外延膜。因此本文针对四方相YBCO薄膜生长过程，在晶粒壮大成膜的假设前提下，将YBCO薄膜生长过程分为成核、结连成片、消除晶界三者。解释了a轴向YBCO与c轴向YBCO薄膜的典型形貌。
金属有机化学气相淀积 YBCO薄膜 X射线衍射 典型形貌 成因分析
李国兴 李善文 杨皓宇 李万程 张宝林 杜国同 周本初
集成光电子学国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院
国内会议
苏州
中文
128-129
2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）