808nm半导体激光器材料参数的数值模拟研究
本文使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构，对GaAsP/AlGaAs分别限制单量子阱结构进行了模拟，研究了波导层的掺杂对工作电压的影响。 根据模拟结果，采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术，外延生长了单量子阱808nm激光器材料。利用该材料制作成1mm腔长的连续(CW)单管器件，采用C-mount载体标准封装。并进行了测试，测试结果表明模拟与实验的结论一致，波导层的掺杂可以减小工作电压，从而提高了808nm半导体激光器的转换效率。
金属有机化学气相淀积 半导体激光器 光电转换效率 波导层掺杂 数值模拟
车相辉 安振峰 陈宏泰 林琳 王晶 张世祖 徐会武 刘会民 王晓燕 杨红伟
中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051
国内会议
苏州
中文
155-157
2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）