InGaAs/InP红外探测材料与线列器件的研究

摘要：

InGaAs是直接带隙材料，具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、平整的界面，良好材料稳定性，是一种理想短波红外探测器材料。本文主要是对探测范围0.9-1.7μm、256×1线列阵和探测范围1.8～2.4μm、128×1线列阵InGaAs/InP红外探测器材料与器件相关一些问题进行探讨研究。

关键词： 金属有机化学气相淀积 红外探测材料 两步生长法 线列器件

作者: 缪国庆 金亿鑫 宋航 蒋红 黎大兵 李志明 孙晓娟

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林省长春市东南湖大路3888号,130033

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国MOCVD学术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 163-164

在线出版日期: 2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）