Ge纳米点/Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析

摘要：

本文结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构，采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了微结构表征。Ge纳米点基本均匀地分布于Si纳米线上，通过改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度。在非常扁薄的无支撑的纳米点/线复合结构中，由于应力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生了较大的红移。

关键词： Ge纳米点 Si纳米线 微结构表征 拉曼散射特征峰

作者: 叶敏华 王丁迪 徐子敬 濮林 施毅 韩民 张荣 郑有炓

作者单位: 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国MOCVD学术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 173-177

在线出版日期: 2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）