锑掺杂二氧化钛薄膜的制备及其光电化学特性
TiO2具有价格便宜、无毒、原料易得、抗光腐蚀性强等优点,是目前研究最为广泛的半导体光电材料。但是TiO2的禁带宽度较宽,对太阳能的利用率比较低。一般通过对TiO2进行表面结构的有序化或者掺杂其他金属或非金属元素来提高其光电化学响应。研究表明过渡金属元素掺杂可以促进光生电子对的分离,便于电子转移到导带,是近年来研究的较多的领域。已有多种金属元素如Cr,Fe,Sb被用来掺杂TiO2。Ralf Bechstein等人发现Sb的掺杂可以提高TiO2的光电响应,并且在与Cr共掺杂的情况下Sb/Cr比例为1.5时得到最好的响应。Da-sen Ren等人利用溶胶凝胶法制备了Sb掺杂的TiO2薄膜,发现在掺杂了0.2％的Sb的情况下,光电转化效率得到了显著的提高。
锑掺杂 二氧化钛薄膜 光电化学特性 半导体材料 禁带宽度
顾一蓓 崔晓莉
复旦大学材料科学系,上海,200433
国内会议
长春
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2009-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）