单极脉冲电沉积制备可控单一结构NiHCF薄膜
过渡金属铁氰化物或普鲁士兰的过渡金属类似物。具有类似分子筛的立方框架结构,是以电化学可逆的铁(II/III)为中心,通过氰键(CN)与过渡金属离子连接而构成的一种无机配位化合物.由于其独特的固态化学和结构特征,这些化合物在电催化(合成)、光电催化、电致生色、成像、离子交换、离子检测、充电电池、电极材料以及光磁和磁光器件。等领域都具有潜在的应用前景。其中某些金属铁氰化物如NiHCF 可沉积在导电基体上制成具有电活性的半导体薄膜,由于对碱金属离子具有不同的选择性(Cs+>Rb+>K+>Na+>Li+)而成为制备灵敏离子检测传感器和新型电控离子分离技术的优选材料。本文通过单极脉冲电沉积法在铂基体上制备铁氰化镍薄膜，即施加一定时间的恒定脉冲沉积电压之后控制截断时间内电流为零来实现单极脉冲，制备“可溶性”或“不溶性”单一结构的NiHCF膜。
单极脉冲电沉积 过渡金属 铁氰化物 无机配位化合物 半导体薄膜
闫涛 郝晓刚 王忠德 张忠林 梁镇海 刘世斌
太原理工大学化学化工学院,山西,太原,030024
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2009-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）