n-ZnO纳米棒/p-CuSCN异质结发光二极管
氧化锌(ZnO),作为宽禁带半导体材料及高的激子能(60ev),在激光、发光二极管(LED)、生物传感器等领域都拥有广泛的应用.近年来,越来越多的研究致力于开发基于ZnO的LED,然而,由于p掺杂型的ZnO低的空穴浓度和低的空穴传输速率,极大的限制了发光效率.因此使用其它宽禁带的p型半导体来替代p掺杂型的ZnO成为了一种很有前途的方法来实现ZnO材料的应用.本文使用P-CuSCN替代p掺杂型的ZnO,构建了n-ZnO纳米棒/p-CuSCN异质结LED,并对其光致发光和电致发光性能进行了研究.在干净的导电玻璃(ITO)上,恒电流电沉积一层均匀的纤锌矿型ZnO纳米棒膜,然后在其上电沉积一层P型无机半导体CuSCN膜,作为空穴传输层,构筑了简单的ITO/ZnO/CuSCN/Au异质结LED.
纳米棒 异质结 发光二极管 空穴浓度 发光性能
张桥保 周剑章 郭洪辉 林仲华
厦门大学化学化工学院化学系,固体表面物理化学国家重点实验室,化学系,福建厦门 361005
国内会议
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1-1
2009-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）