利用CV-MOS工艺研制SOI基的光子器件
电子的“瓶颈效应”限制了硅材料微电子器件在超高速、大容量信息传输处理的能力。如何利用光子的并行、高速和传输容量大的特性，在光子层面实行光子器件的集成是集成光子技术一直追求的目标。本文介绍了基于硅的p-I-n结和载流子色散效应，利用0.8 微米的VD－MOS工艺，在SOI材料上研制光子器件的工作。我们针对硅基光子器件的要求，采用硅刻蚀等特殊的工艺流程，成功的研制出1×2、1×3和2×2等光开关以及光调制器等硅基光子器件。基本的1×2干涉型光开关器件的消光比可大于20dB, 开关速度约20ns量级，而且制作的重复性和稳定性好。
载流子色散效应 光子器件 集成光学回路 硅材料 光调制器
江晓清 杨建义 王明华
浙江大学信息与电子工程学系,杭州 310027
国内会议
杭州
中文
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）