355nm全固态紫外激光切割硅片的研究
近年来，激光微加工硅和蓝宝石等半导体材料已经吸引越来越多的关注。高精度激光切割和钻孔加工已经成功用于半导体、光电子、光机电系统（ MEMS ）行业，包括晶圆切割、划线、直接成型通孔和三维微结构。利用自主研发的紫外激光微加工设备，系统研究了激光功率密度、重复频率、扫描次数、单脉冲能量等工艺参数对切割0.18mm厚多晶硅片和0.38mm厚单晶硅片的缝宽和效率的影响规律。结果表明，采用扫描振镜加远心扫描透镜系统，当需要得到最大的切割深度时，优化的工艺参数为激光功率5.4W，频率40-60kHz，扫描速度150mm/s；当需要得到最大的深宽比时，优化的工艺参数为激光功率5.4W，频率80kHz，扫描速度100mm/s-150mm/s。最后利用优化的工艺参数对三种厚度（0.18mm、0.38mm、0.6mm）的硅片进行了直接成形加工，最小孔径45μm，加工精度20μm。
全固态紫外激光 多晶硅 单晶硅 激光微加工 半导体材料 激光切割
张菲 杨焕 段军 曾晓雁
华中科技大学武汉光电国家实验室,湖北武汉 430074
国内会议
杭州
中文
1-6
2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）