700V高压LDMOS的比较研究及优化

摘要：

本文对耐压要求为700V的LDMOS进行了研究。通过分析影响LDMOS参数的各种因素，以BCD工艺为基础，借助模拟软件Tsuprem4及MEDICI对Double-Resurf和多晶场板结构的LDMOS进行了工艺器件联合仿真，优化了LDMOS的设计。对Psub-Nwell和Psub-nepi两种结构的LDMOS进行了比较，Psub-nepi结构相对于Psub-Nwell结构有很多优势。

关键词： 多晶场板结构 工艺器件 联合仿真 金属氧化物半导体

作者: 罗杰 方健 高大伟 姚婧

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）