P型硅中低浓度铜沾污的瞬态电容技术研究

摘要：

本文研究了一种P 型硅中低浓度的铜的瞬态电容测试技术，通过观察间隙铜离子在电场作用下引起的电容瞬态变化行为，从而获得铜浓度的定量测量以及其扩散速率等信息，精确测得了在低温范围内硅中铜的固溶度和它的扩散参数。

关键词： 瞬态电容测试 铜离子 铜沾污 P型硅 扩散速率 固溶度 定量测量

作者: 余学功 杨德仁

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）