P-JFET击穿电压提高的研究

摘要：

本文从P-JFET器件击穿的原理入手，分析了击穿电压与跨导，夹断电压，漏极饱和电流，最小导通电阻等关键参数的相互关系。利用silvaco仿真软件对顶栅和沟道的掺杂分布以及G-D耐压区尺寸进行了匹配和优化设计，结果表明，在满足其它参数主要指夹断电压符合要求的前提下，P-JFET器件击穿达到110V以上。

关键词： 击穿电压 夹断电压 漏极饱和电流 最小导通电阻 优化设计

作者: 冯筱佳 刘玉奎 王志宽

作者单位: 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400065 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）