TEOS工艺研究报告

摘要：

TEOS (硅酸乙酯)LPCVD时，TEOS从液态蒸发成气态，在700~750℃300mTOR压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜,二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到50à/min,薄膜的厚度均匀性小于3﹪,这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺。本文主要阐述针对TEOS工艺在生产中存在的工艺问题，对TEOS（LPCVD）工艺异常和测试空烧轮数据统计整理，进行柏拉图分析，集中资源对主要TEOS工艺问题进行分析解决，达到改善TEOS炉管的工艺稳定性，减少工艺异常测试轮次，提高TEOS源瓶利用率目的。

关键词： 硅酸乙酯 二氧化硅薄膜 工艺特性 表面淀积

作者: 朱江

作者单位: 浙江杭州立昂电子有限公司,杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）