超大规模集成电路工艺中多晶硅鼓包(Poly-bump)的调查和研究

摘要：

在超大规模集成电路(VLSI)工艺中，多晶硅表面的状况对后续的光刻和刻蚀有着重要的影响，而这些关键工艺与产品的良率直接相关。本文所描述的多晶硅鼓包(Poly-bump)是在栅刻蚀后发现的，经过分步实验，发现此多晶硅鼓包发生在多晶硅掺杂工艺中。通过对掺杂工艺中气体流量，掺杂温度，掺杂时间等一系列工艺参数的优化，最终成功的解决了多晶硅鼓包的现象。

关键词： 超大规模集成电路 多晶硅鼓包 掺杂工艺 气体流量

作者: 胡正军 周伟

作者单位: 上海集成电路研发中心有限公司, 上海 201203

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）