低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计

摘要：

基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后，会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题，导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试是Flash芯片测试中占用测试时间最长的测试过程，测试成本很高。本文在深入分析NOR型Flash耐久性缺陷机理的基础上，对Flash存储器耐久性测试方法进行了研究，设计了一种成本相对较低但可靠性很高的NOR型Flash耐久性测试与评估系统，该系统基于FPGA，可对待测芯片进行各种可编程的测试图形的耐久性读写测试，可实现长达100小时的稳定的可靠性读写实验，集成了对测试结果的定位、统计与评估，大大降低了测试成本。

关键词： 耐久性测试 浮栅结构 读写操作 芯片测试

作者: 孙鹏 彭丽花 李楠 郑国祥 曾(华)

作者单位: 复旦大学材料科学系,上海 200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 200433; 上海复旦微电子公司,上海 200433 复旦大学材料科学系,上海 200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）