干/湿法退火对锗衬底上的HfO2薄膜的影响
采用电子束蒸发的方法在锗衬底上制备了超薄HfO2薄膜，并进行了氮气中的干/湿法退火。采用XPS和椭偏仪测试分析了退火前后样品的化学组成分布与光学性质。发现在生长的HfO2薄膜中以GeOx的形式混入了大量的Ge，并使得退火后HfO2转变为锗酸铪。干/湿法退火使得GeOx的氧化态提高，尤其在湿法退火时，Ge被完全氧化为GeO2。随着退火时间增加，干法退火的HfO2变化不大，而湿法退火的样品的表面则逐渐被新生成的GeO2覆盖。由此推断混入HfO2薄膜的GeOx来自于裸露的Ge衬底在一定温度下生成的气态GeO。
超薄薄膜 电子束蒸发 化学组成 光学性质
刘冠洲 李成 陈松岩 赖虹凯
厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建厦门 361005
国内会议
杭州
中文
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）