硅基PN结电容的研究及分析
以硅为基体材料，PN结为基本结构制作的无源器件具有一种电容的特性，进一步利用深硅刻蚀技术，通过在硅基材料上刻蚀深图形以增大PN结结面积从而增大电容量，这种方式制作的PN结电容结果简单，制作方便，理论上在反偏下电容值可调，且与现有微电子工艺兼容。经测试研究，实际制作完成的电容电容密度可达0.7~1.5nF/mm2，工作频率为200MHz至3GHz，与传统贴片电容相比，最显著特性是电容值可控可调，寄生电感小，可广泛用于中频下电子系统的退耦，滤波等。
PN结电容 寄生电感 电容密度 无源器件 深硅刻蚀
王惠娟 吕垚 万里兮
中国科学院微电子研究所系统封装实验室 北京 100029
国内会议
杭州
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）