快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的影响
采用500 MeV不同剂量的快中子辐照掺氮直拉硅（NCZ-Si，Nitrogen-doped Czochralski Silicon），研究了不同快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）温度和降温速率对快中子辐照NCZ-Si中氧沉淀及其诱生缺陷的影响。样品经过不同温度和降温速率的RTP处理后，再经过1100 ℃/20 h常规退火，以形成氧沉淀。实验结果表明：高温RTP处理后，快中子辐照掺氮单晶硅中间隙氧含量上升，而且辐照剂量越大，间隙氧含量上升也多；快速热处理有助于后期退火中清洁区（DZ，Denuded Zone）的生成，预处理温度越高，形成的DZ越宽；快速热处理的降温速率影响氮氧复合体的生成，高的降温速率有助于氮氧复合体的生成，同时会降低DZ的宽度。
中子辐照 掺氮直拉硅 氧沉淀 清洁区 单晶硅
陈贵锋 吴建海 马晓薇 马巧云 白云娜 薛晶晶 李养贤
河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津 300130 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津 300130 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）