快速热处理对电子辐照直拉硅氧沉淀的影响
研究了快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）以及热处理气氛对电子辐照直拉硅（CZ-Si）中氧沉淀和清洁区（DZ，Denuded Zone）的影响。采用辐照能量为1.5 MeV、辐照剂量为1.8×1018 e/cm2 的电子辐照直拉硅样品一部分在Ar、N2 两种不同气氛下高温一步退火，另一部分先进行不同温度的RTP 预处理再进行高温一步长时间退火，研究样品中体缺陷和清洁区的形成。实验发现RTP 预处理有助于氧沉淀的生成，且RTP 温度越高氧沉淀的生成量越大；N2 气氛下RTP 预处理有助于后期退火中DZ 和体缺陷（BMDs，bulk micro defects）的生成，在N2 气氛下RTP 退火形成的DZ 比较窄，BMDs 密度比较大，而且结构较为复杂；与Ar 气氛相比，在N2气氛下退火更能促进电子辐照硅单晶中氧沉淀的进程。
直拉硅 电子辐照 氧沉淀 清洁区 快速热处理 单晶硅
马晓薇 陈贵锋 郝秋艳 白云娜 薛晶晶 李养贤
河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津300130 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 3 10027
国内会议
杭州
中文
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）