横向变厚度漂移区SOI LDMOS工艺技术研究

摘要：

本文首先通过求解二维扩散方程，建立了单窗口LOCOS 技术的氧化层轮廓函数模型，然后借助Delta 函数，将任意的氧化层轮廓函数表示为一系列单窗口轮廓函数的组合，并给出了确定窗口位置和窗口宽度的方法，进而基于该方法设计了一种和CMOS 工艺兼容的用于制备变厚度漂移区SOI LDMOS 的方法，TCAD 工具的2D 工艺仿真证实了该工艺方案的可行性和精确性。

关键词： 横向变厚度 扩散方程 漂移区 金属氧化物半导体

作者: 郭宇锋 薛龙来 周井泉

作者单位: 南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京 210003

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）