快速热退火法制备多晶硅薄膜的研究
本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(Raman)，扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的晶化程度及表面形貌进行了测试分析。实验结果表明,随着温度的提高时间的延长，薄膜的晶化越来越好，温度达到900℃时薄膜的晶化效果最好，随着温度的继续升高晶化情况不再明显变化；相对单步退火，分步退火可以使薄膜中的氢缓慢释放，减低失氢的剧烈程度抑制孔洞等缺陷的形成，从而提高晶化程度和表面质量。
非晶硅薄膜 快速退火 硅氢键 等离子体增强化学气相沉积法 晶化程度
张会娟 于经 郝秋艳 解新建 刘彩池
河北工业大学信息功能材料研究所,天津 300130
国内会议
杭州
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）