具有浮动衬底偏压的SOI横向超结器件

摘要：

本文提出一种具有浮动衬底偏压的SOI横向超结LDMOS。浮动的衬底偏压随着漏端电压变化，并保持在源端和漏端电压之间。对于N型超结LDMOS，衬底相对超结的N柱区是低电位，而相对超结的P柱区是高电位。随着漏端电压的增加，电子和空穴同时被吸引到埋氧层下方。这可以保持超结中电荷的平衡，缓解衬底辅助耗尽效应，提高器件的击穿电压。ISE三维器件仿真结果表明，新结构改善了电场分布，击穿电压从83V提高到122V。

关键词： 衬底偏压 横向超结 横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压 横向超结器件

作者: 王文廉 张波 李肇基

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 610054 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原 030051 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）