全Si型太阳电池中Si量子点超晶格结构制备及其特性研究
基于Si量子点超晶格结构的第三代全Si型太阳能电池，由于其无毒、原材料丰富、高效率、低成本而引起了广泛的研究兴趣。我们利用双电子束蒸发源，率先快速高效地制备出大面积、低成本的多层Si量子点超晶格结构，成功地将Si量子点嵌入在SiO2和SiO2构成的势垒中。透射电镜的观察表明平均尺寸在5.0nm左右；Si量子点层之间的SiO2的势垒厚度约为4nm左右。光致发光光谱(PL)和拉曼光谱的测量表明多层Si量子点超晶格结构的量子效应，对能带的调节作用非常明显，可应用到全Si第三代太阳能电池中去。并将简化结构的Si量子点层与125mm单晶硅电池结合起来，测试表明在短波长，其量子效率有着较为明显的改善。
太阳能电池 硅量子点 超晶格结构 量子限制效应 光致发光光谱
贾锐 李维龙 陈晨 李昊峰 叶甜春 刘新宇 刘金彪 刘明
中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029
国内会议
杭州
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）