软击穿后的MOS器件的微分电导谱及其应用

摘要：

软击穿后的MOS器件的微分电导谱已用于研究软击穿后的超薄SiO2的电导性质，结果表明：软击穿后的超薄SiO2的栅电流－栅电压特性的微分电导谱具有两个谱峰，低电压的谱峰源于隧道电子流隧穿单势垒，而高电压的谱峰源于隧道电子流隧穿双势垒。缺陷的有效质量、缺陷能级、缺陷的互作用能和缺陷相关的Si/ SiO2界面势垒高度可以由谱峰来测定。

关键词： 软击穿 微分电导 缺陷带 缺陷能级 超薄栅氧化层 金属氧化物半导体

作者: 许铭真 谭长华 段小蓉

作者单位: 北京大学微电子研究院,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-3

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）