深亚微米NMOS器件总剂量辐照引起的寄生管泄漏电流模型

摘要：

本文提出了一个深亚微米尺度下总剂量辐照引起的NMOS器件寄生管泄漏电流模型，该模型将辐照对MOS器件的影响直接体现为寄生管阈值漂移与辐照剂量之间的依赖关系，避免了对STI区大量固定正电荷的空间分布做复杂计算。我们还首次分析了寄生管沟道内迁移率的不均匀分布，并提出一个沟道有效迁移率的公式，使得模型能更加准确。模型还考虑了衬底倒掺杂分布对寄生泄漏的影响。我们将此模型嵌入SPICE仿真工具里，模型结果很好的吻合了实验数据。

关键词： 寄生管 金属氧化物半导体 总剂量辐照 泄漏电流模型

作者: 刘文 王思浩 黄如

作者单位: 北京大学深圳研究生院 集成微系统科学工程与应用重点实验室,深圳 518055 北京大学微电子研究所,北京 100871 北京大学深圳研究生院 集成微系统科学工程与应用重点实验室, 深圳 518055 北京大学微电子研究所,北京100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）