深亚微米集成电路ESD器件设计研究

摘要：

本文结合SMIC-0.18um Silicide CMOS工艺集成电路ESD保护的需要，针对全芯片电源ESD保护和一般I/O ESD保护设计特点，展开对MOS器件及二极管器件用于ESD防护的设计研究。分别考察了NMOS与PMOS的静电响应差异，研究了NMOS设计参数和版图结构对ESD性能的影响，讨论了不同尺寸和结构的二极管的ESD防护性能，以及栅极驱动NMOS电路的防护性能。

关键词： 集成电路 静电响应 版图结构 防护性能 金属氧化物半导体 二极管 静电放电保护

作者: 李志国 岳素格 孙永姝

作者单位: 北京微电子技术研究所 北京 100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）