抬高和凹陷源漏结构UTB SOI器件的输运特性研究

摘要：

已有的研究结果表明，抬高源漏和凹陷源漏结构对于减小UTB SOI器件串联电阻有较好效果，但对这两种结构中开态下载流子输运影响的研究很少。本文采用全能带蒙特卡罗器件模拟方法对抬高源漏和凹陷源漏结构的UTB SOI开态情况下载流子输运及器件特性进行了模拟，结果显示在高场下抬高源漏比凹陷源漏器件漏端的载流子能量低，因此有利于抑制热载流子进入氧化层引起的可靠性问题。

关键词： 抬高源漏 凹陷源漏 输运特性 串联电阻 蒙特卡罗 绝缘体上硅

作者: 陈思 竺明达 杜刚

作者单位: 北京大学深圳研究生院,深圳 518055 北京大学微电子学研究院,北京 100871 北京大学微电子学研究院,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）