用于钨化学机械抛光的侵蚀的模型

摘要：

提出了一个用于钨CMP时侵蚀的模型，用以解释通常意义所不能解释的侵蚀现象。基于理论分析，该模型与试验数据能很好地吻合。赝侵蚀是该模型的重要概念。该模型可用于指导CMP工艺中的关于凹陷和侵蚀的分析，由此减少工艺监控中的一些环节，降低成本。

关键词： 化学机械抛光 赝侵蚀分析 钨

作者: 储佳

作者单位: 上海集成电路研发中心 上海碧波路177号4楼B区 201203

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）