ULTRA-B:新一代纳米集成电路CMOS模型的研究和发展

摘要：

本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方程和计算；MOSFET量子效应的模拟模型发展；小尺度效应模型的建立和分析；多晶硅的统一物理模型建立；SMIC的90纳米工艺数据模型验证和模型的多层次实现。最后，展望了ULTRA-B的进一步研究和发展方向，希望ULTRA-B最终可以为国内SOC电路的发展和设计提供支持和服务。

关键词： 表面势 量子效应 多晶硅效应 纳米集成电路 互补金属氧化物半导体 电流解析方程

作者: 何进 张立宁 黄宇聪 吴佳珍 徐姣姣 周致赜 林信南

作者单位: 北京大学信息科学技术学院,纳太器件和电路研究室,北京 100871 北京大学深圳研究生院,微纳电子器件和集成技术研究中心,广东深圳 518055 北京大学信息科学技术学院,纳太器件和电路研究室,北京 100871 北京大学深圳研究生院,微纳电子器件和集成技术研究中心,广东深圳 518055

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）