一种改善VPNP管性能的SIC技术研究

摘要：

介绍了一种互补双极工艺的关键器件VPNP的性能优化技术，在工艺和器件仿真的基础上，采用原发于改善高速NPN管性能的SIC技术，应用于VPNP管性能的优化。使亚微米的VPNP管的特征频率提高30％，达ft＞3.0GHz,击穿电压BVceo＞6.0V，拓宽了该互补双极工艺应用领域。

关键词： 模拟集成电路 双极晶体管 击穿电压 互补双极工艺

作者: 李荣强 钟怡 鲜文佳 刘玉奎

作者单位: 模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060 模拟集成电路国家级重点实验室 重庆大学,重庆 400030

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）