一种基于InGaP/GaAs HBT工艺的新型ESD保护电路
随着集成电路工作频率的不断提高以及晶体管的特征尺寸的不断缩小，对ESD(Electronic Static Discharge)保护电路的性能要求越来越高”1”。Yintat Ma和G.P.Li提出的ESD保护电路”2”虽然具有较低的负载电容，但在ESD脉冲电流环境下，电路的峰值电压高于箝位电压，且负载电容较大。本文提出了一种新型的基于InGaP/GaAS工艺达林顿结构的ESD保护电路。通过分析电路结构，说明了改进电路的工作原理,并且利用HBM(Human Body Model)仿真了电路的性能。结果显示：电路的峰值电压和钳位电压都得到了降低。
负载电容 峰值电压 钳位电压 集成电路 工作频率 晶体管 静电放电
刘善松 郝瑞荣 张晓东
东南大学苏州研究院 高频高功率无线通信实验室,江苏苏州 215123 苏州工业园区教育投资发展有限公司&苏州英诺迅科技有限公司 射频功率器件及电路技术中心,江苏苏州 215123
国内会议
杭州
中文
1-5
2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）