PDP行驱动芯片用高压SOI NLDMOS研究
文章提出了一种适合于PDP行驱动芯片用的高压SOI NLDMOS器件结构，分析了SOI LDMOS的击穿电压与SOI层厚度、埋氧层厚度的关系，并对器件饱和电流大小和开态耐压进行了优化。经过TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真后，在0.8μm BOX层、10μm SOI层材料上设计得到了关态耐压252V、开态饱和电流大于7.10-5A/μm的SOI NLDMOS，完全满足PDP驱动行芯片的应用需求。基于本论文成果成功研发了的国内首颗PDP高压SOI行驱动芯片。
驱动芯片 开态耐压 绝缘体上硅
易扬波 李维聪 钱钦松
东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096
国内会议
杭州
中文
1-7
2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）