电子束光刻邻近效应校正技术
电子束光刻邻近效应校正技术是采用电子束直写光刻技术开展纳米器件和集成电路研制中的关键技术。虽然电子束光刻系统具有纳米级的电子束斑，但由于电子束的电子与抗蚀剂及基片的固体原子碰撞产生的散射和背散射电子的作用，在邻近电子束入射点的相当大的半径内感光胶也将受到不同程度的曝光，严重影响电子束描绘图形的实际分辨能力，即使是纳米级的电子束斑也很难写出比较理想的几十纳米集成电路图形。本文重点介绍纳米级电子束直写光刻中邻近效应校正技术问题，包括电子束光刻邻近效应剂量调制校正技术和参数提取技术；电子束光刻工艺及衬底材料优化抑制邻近效应影响的措施；电子束邻近效应校正技术数据处理及邻近效应校正软件应用技术等。
电子束光刻技术 邻近效应校正技术 电子束直写 电子散射 背散射 纳米器件
陈宝钦 徐秋霞 谢常青 刘明 赵珉 吴璇 牛洁斌 刘键 任黎明 王琴 朱效立 李新涛
中国科学院微电子研究所,北京 100029 湛江师范学院 广东湛江 524048 北京大学 北京 100871
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）