用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构
提出一种新颖的MOS电容下压阻检测方案。MOS电容耗尽层下的掺杂区被用作力敏电阻来检测梁内应力，绕过了在纳米梁上进行高浓度、浅结深地掺杂这一障碍。在栅极施加偏置电压后，耗尽区宽度达到最大且仅与掺杂浓度有关，形成非对称的电阻结构，其对栅压的波动不敏感，相比于MOS沟道压阻方案更抗干扰。设计工艺流程和参数后，基于双端固支梁，制作了这种MOS电容下压阻检测结构。电学测量结果显示压阻厚度65.8nm，与测量计算结果63.8nm相吻合，表明了实验结果同理论计算的一致性。
金属氧化物半导体 纳米梁 位移检测 压阻结构
成海涛 杨恒 王跃林
上海微系统与信息技术研究所,传感器技术联合国家重点实验室,上海 200050
国内会议
杭州
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）