原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征
本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的升高而减小；薄膜禁带宽度随退火温度的增大而增大。没有退火的样品的禁带宽度为3.41 eV，当退火温度上升至800 °C时，其禁带宽度增大至3.81 eV。在800 °C退火后导致界面层的形成，其厚度达1.6 nm。这是由于在高温退火过程中，衬底的Si原子与Nb2O5介质发生反应，在界面处形成了Nb-Si-O组分。
原子层淀积 光学特性 禁带宽度 介质薄膜
徐岩 刘晗 陈琳 孙清清 丁士进 张卫
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子学系,上海,200433
国内会议
杭州
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）