重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的研究

摘要：

本文采用红外扫描显微术研究了在不同退火条件对重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的影响。实验发现重掺锑直拉硅片中的氧沉淀长大到一定尺寸时会产生诱生缺陷，我们将氧沉淀产生诱生缺陷的最大尺寸定义为临界尺寸。氧沉淀产生诱生缺陷的的临界尺寸会随着退火温度而改变。本文尝试对其影响氧沉淀诱生缺陷的机理做了解释。

关键词： 重掺锑硅单晶 氧沉淀 二次诱生缺陷 临界尺寸

作者: 曾俞衡 马向阳 杨德仁 宫龙飞

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州 310027 宁波立立电子股份有限公司,浙江宁波 315800

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）