重掺锑直拉硅单晶原生氧沉淀形成的研究
直拉硅单晶在生长过程中会形成原生氧沉淀，它们对硅单晶在后续热处理中的氧沉淀行为有重要影响。重掺锑直拉硅单晶的原生氧沉淀的形成过程目前还不清楚。本文先通过1200℃热处理0.5 h来消除重掺锑直拉硅单晶中的原生氧沉淀，然后以1℃/min的速率缓慢降温至不同温度（800℃~300℃），在此缓慢降温过程中将形成尺寸很小的氧沉淀，然而，它们不易被测量到。因此，通过后续的从800℃缓慢升温1050℃并保温16h的热处理使得上述降温过程中形成的氧沉淀长大，从而可以通过择优腐蚀和扫描红外显微术来测量氧沉淀密度。通过上述手段，试图理解重掺锑直拉硅单晶生长中原生氧沉淀的形成过程。研究表明：重掺锑直拉硅单晶中的大部分原生氧沉淀很有可能是在晶体生长结束后冷却至800~650℃这一过程中形成的。我们对上述结果做了定性的解释。
重掺锑 直拉硅 原生氧沉淀 晶体生长
朱伟江 马向阳 杨德仁 阙端麟
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
国内会议
杭州
中文
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2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）