铸造多晶硅的光致衰减研究
本文采用卤灯光照，微波光电导衰减仪（MWPCD）测试对铸造多晶硅的光致衰减进行了研究。首先比较了铸造多晶硅与CZ 单晶硅的衰减，前者衰减更小，较高含量的碳是一个主要原因，另外由于FeB 的分解，光照开始阶段会有寿命的上升。铸造多晶硅同一晶锭不同部位的样品中，底部衰减的最多，顶部最小。同一大片中选取缺陷密度不同的区域，衰减的差别不大。磷吸杂后衰减减少到原生片的1/3-1/2。铸造多晶硅的光致衰减主要与氧浓度高低有关，高含量的碳抑制了衰减，吸杂的高温处理比较有效地减少了衰减。
太阳电池 铸造多晶硅 光致衰减 氧浓度 高温处理
王朋 杨德仁 李晓强 余学功 阙端麟
浙江大学材料科学与工程系 硅材料国家重点实验室,杭州 310027
国内会议
杭州
中文
1-4
2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）