基于阵元互耦的相控阵天线结构变形影响分析
分析相控阵天线结构变形对电性能的影响,对高性能天线的研制具有重要的意义。基于阵面辐射单元互耦的分析,建立了相控阵天线结构—电磁耦合模型,给出了辐射单元位置误差对相控阵天线电性能的影响分析方法。仿真结结果与全波计算的一致,证明了该方法的有效性和正确性。
相控阵天线 电性能 结构变形 电磁耦合模型
王从思 平丽浩 王猛 徐慧娟
南京电子技术研究所,南京210039 西安电子科技大学机电工程学院,西安 710071 南京电子技术研究所,南京210039 西安电子科技大学机电工程学院,西安710071
国内会议
成都
中文
762-765
2009-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)