电子束蒸发制备Si0.95Co0.05稀磁半导体薄膜

摘要：

用放电等离子体烧结技术（SPS）制备Si:Co靶，并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。薄膜分别在200 oC、300 oC、400 oC下退火10分钟，利用交变梯度磁强计分别测量退火前后各组样品的磁性，结果显示，在300 oC下退火的样品磁性最强，200 oC下退火的磁性次之，未退火的磁性最弱。实验中还对样品进行了XRD测量，结果表明样品为非晶态。实验说明，电子束蒸发是制备硅基稀磁半导体的有效方法。

关键词： 硅基稀磁半导体 电子束蒸发 等离子体烧结 磁性薄膜

作者: 赵庆旺 程亮 叶舟 马亚军 艾志伟 阮学锋 周忠坡 吴昊 郭立平

作者单位: 武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072 武汉大学动力与机械学院,武汉,430072 武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072 武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室,武汉,430072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国核技术及应用研究学术研讨会

会议地点: 绵阳

会议语种:中文

页码: 1-7

在线出版日期: 2009-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）