用离子束技术研究稀磁半导体和纳米磁性材料

摘要：

本文系统综述了用离子束技术实现稀磁半导体和纳米磁性材料的构建、调控和改性的研究的进展和现状。离子束注入是优选的构建和调控方法，测试结果表明在GaN、 ZnO等新半导体光电材料中注入Mn、Ni、Co等过渡金属离子可以得到低温和室温下的铁磁性。离子束分析技术给出了这些新材料薄膜的微结构信息，透射电镜下观察到过饱和剂量Mn+注入GaN形成的纳米磁性颗粒。

关键词： 自旋半导体 纳米磁性材料 离子束注入 光电材料 过饱和剂量

作者: 姚淑德 丁志博 王坤 陈迪 法涛 陈田祥

作者单位: 北京大学核物理与核技术国家重点实验室 北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国核技术及应用研究学术研讨会

会议地点: 绵阳

会议语种:中文

页码: 1-8

在线出版日期: 2009-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）