中子辐照超深亚微米NMOSFET的数值模拟研究初探

摘要：

初步研究了沟道长为0.18mm的超深亚微米LDD NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理；数值模拟了0.18mm LDD NMOSFET的阈值电压和亚阈值电流随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系；通过数值模拟比较了中子辐照诱发的不同缺陷能级对0.18mm超深亚微米LDD NMOSFET的影响。部分数值模拟结果与反应堆中子辐照实验结果进行了比对。

关键词： 中子辐照 缺陷能级 超深亚微米 数值模拟

作者: 王祖军 陈伟 王桂珍 唐本奇 肖志刚 黄绍艳 刘敏波 张勇 刘以农

作者单位: 清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室 北京 100084 西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱 陕西 西安 710024 西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱 陕西 西安 710024 清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室 北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国核技术及应用研究学术研讨会

会议地点: 绵阳

会议语种:中文

页码: 1-7

在线出版日期: 2009-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）