硅光电二极管高能标定技术

摘要：

设计了一个以钝化层厚度和耗尽层厚度为参数的简单模型，描述硅光电二极管的工作原理。在137Cs-661keV的均匀高能γ场中，对AXUV-100G型硅光电二极管进行标定。并且将试验标定曲线与国外标定曲线进行对比，分析后发现用这种方法标定的探测器精度与国外标定精度接近。同时推导出利用这种半导体探测器测量低能X射线光子注量的计算公式。

关键词： 硅光电二极管 耗尽层 钝化层 标定技术 光子注量 半导体探测器

作者: 张少华 雷家荣

作者单位: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川 绵阳 621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国核技术及应用研究学术研讨会

会议地点: 绵阳

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2009-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）