Gd5Ge4磁卡效应脉冲磁场研究
Gd5(Si1-xGex)4化合物巨磁卡效应一直受到人们广泛关注。为了研究其磁卡效应，人们要么在绝热条件下，直接测量样品温度的变化，要么通过测量样品的热容量或者磁化强度随磁场和温度变化关系，并利用热力学麦克斯韦方程计算磁卡效应。在磁性测量过程中，磁场变化速率小，样品有充足的时间向环境吸收和释放磁卡热，因此测量是等温的。除了传统的稳态磁场以外，脉冲磁场也可以用于研究磁卡效应。研究表明，当脉冲时间低于120毫秒时，样品与环境的热交换可以忽略不计。这样，原则上可以直接测量材料的磁卡效应。但是，由于在非常短的脉冲时间内跟踪样品温度的困难，实际的报道很少。
磁致冷材料 Gd5Ge4化合物 磁卡效应 脉冲磁场 磁性测量 热力学麦克斯韦方程
欧阳钟文
华中科技大学物理学院凝聚态物理与材料物理中心武汉430074
国内会议
合肥
中文
41
2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）